TP65H050WS / TP65H035WS הדור השלישי (Gen III) גליום ניטריד (גן) שדה אפקט טרנזיסטורים (FET)

טרנספורם גן FETs תכונה מיתוג שקט על ידי הפחתת הפרעות אלקטרומגנטיות (EMI) והגברת חסינות הרעש

טרנספורם של TP65H050WS ו TP65H035WS הם Gen III 650 VET גן. הם מניבים EMI נמוך יותר, מוגברת חסינות רעש השער, ואת ראש גדול יותר יישומים במעגל. 50 מ '& אומגה; TP65H050WS ואת 35 מ '& אומגה; TP65H035WS זמינים בחבילות TO-247 סטנדרטיות.

MOSFET ושינויי עיצוב מאפשרים למכשירי Gen III לספק מתח סף מוגבר (חסינות רעש) ל -4 V מ -2.1 V (Gen II), אשר מבטל את הצורך בכונן שלילי. אמינות השער עלתה מ Gen II ב -11% עד & plusmn, 20 V מקסימום. התוצאה היא מיתוג שקט יותר והפלטפורמה מספקת שיפור ביצועים ברמות גבוהות יותר עם מעגלים חיצוניים פשוטים.

1600T של חברת חשמל עונתית היא 1600 W, פלטפורמת טוטם-מוטות ברידג'לס שמשתמשת בגופי FAT של מתח גבוה זה כדי להביא יעילות של 99% לתיקון מקור כוח (PFC) במטעני סוללות (e-קטנועים, תעשייה ועוד), כוח מחשב, שרתים , ומשווקי משחקים. היתרונות של שימוש אלה FETs עם סיליקון מבוססי פלטפורמה 1600T כוללים יעילות מוגברת של 2% וצפיפות הספק מוגברת של 20%.

פלטפורמת 1600T מעסיקה Transparorm & rsquo; s TP65H035WS כדי להשיג יעילות מוגברת במעגלים חדים ורכים להחליף ולספק למשתמשים אפשרויות בעת תכנון מוצרי מערכת החשמל. זוגות TP65H035WS עם נהגים שער בשימוש נפוץ כדי לפשט עיצובים.