בחר את המדינה או האזור שלך.

EnglishFrançaispolskiSlovenija한국의DeutschSvenskaSlovenskáMagyarországItaliaहिंदीрусскийTiếng ViệtSuomiespañolKongeriketPortuguêsภาษาไทยБългарски езикromânescČeštinaGaeilgeעִבְרִיתالعربيةPilipinoDanskMelayuIndonesiaHrvatskaفارسیNederland繁体中文Türk diliΕλλάδαRepublika e ShqipërisëአማርኛAzərbaycanEesti VabariikEuskera‎БеларусьíslenskaBosnaAfrikaansIsiXhosaisiZuluCambodiaსაქართველოҚазақшаAyitiHausaКыргыз тилиGalegoCatalàCorsaKurdîLatviešuພາສາລາວlietuviųLëtzebuergeschmalaɡasʲМакедонскиMaoriМонголулсবাংলা ভাষারမြန်မာनेपालीپښتوChicheŵaCрпскиSesothoසිංහලKiswahiliТоҷикӣاردوУкраїнаO'zbekગુજરાતીಕನ್ನಡkannaḍaதமிழ் மொழி

השלים את פיתוח התהליך 3nm בשנת 2020, מהם הרוצחים של סמסונג בעידן 5G?

שנת 2019 היא שנה בה טכנולוגיה של 5G ידועה ויצרה קשר עם הצרכנים. בתחילת השנה הזו, פרסמה סמסונג את גרסת הטלפון הנייד המסחרית הראשונה Galaxy 510 Galaxy S105G שהיא הראשונה לספק לצרכנים מוצר מסוף שיכול להרגיש את רשת 5G.

מדוע סמסונג יכולה לספק מוצרי 5G כל כך מהר, שקשורים למאמצים שנעשו במחקר ופיתוח ושדרוג של טכנולוגיית 5G. לאחרונה, בפורום הטכנולוגיה של סמסונג 5G, הוא שיתף את המידע הטכני של סמסונג בעידן 5G עם Jiwei. בואו נסתכל על מה ששדרגה סמסונג ב- 5G.

בשנה הבאה יגיעו שבבי 5G ו -3 ננומטר מפותחים בעצמם

בתחילת ספטמבר 2019, Samsung Electronics שיחררה את שבב ה- 5G המשולב הראשון שלה Exynos980. השבב משתמש בתהליך 8nm כדי לשלב מודם תקשורת 5G עם מכשיר AP נייד נייד בעל ביצועים גבוהים (ApplicationProcessor). בפגישת ה- SFF "פורום היציקה של סמסונג" בעבר, סמסונג הכריזה שוב על התקדמות הדור החדש של הטכנולוגיה שלה, לרשת המיקרו נודע כי תהליך 3nm יושלם בשנה הבאה.

על פי טכנאי המו"פ של סמסונג 5G, בצומת 3 ננומטר, סמסונג תעבור מטרנזיסטורים של FinFET לטרנזיסטורים של שער היקפי. תהליך ה- 3nm משתמש בדור הראשון של טרנזיסטורים של GAA, המכונה רשמית תהליך 3GAE. בהתבסס על מבנה הטרנזיסטור החדש של GAA, סמסונג יצרה MBCFET (Multi-Bridge-ChannelFET) באמצעות מכשירי ננו-צ'יפ, שיכולים לשפר משמעותית את ביצועי הטרנזיסטור ולהחליף את טכנולוגיית הטרנזיסטור של FinFET.

בנוסף, טכנולוגיית MBCFET תואמת לטכנולוגיות וציוד תהליכי ייצור FinFET קיימים להאצת פיתוח וייצור תהליכים. בהשוואה לתהליך הנוכחי של 7 ננומטר, תהליך 3 ננומטר מקטין את שטח הליבה ב 45 אחוז, צריכת חשמל ב 50 אחוז והביצועים ב 35 אחוז. מבחינת התקדמות התהליך, סמסונג כבר ייצרה שבבי 7 ננומטר במפעל S3Line בהוואסונג, דרום קוריאה באפריל השנה. זה צפוי לסיים את פיתוח התהליך 4nm בשנה זו ופיתוח תהליכים של 3nm צפוי בשנת 2020.

פיתרון מקצה לקצה 5G

בעידן 5G, סמסונג היא הדרג הראשון מבחינת הטכנולוגיה והמוצרים. היתרונות הספציפיים באים לידי ביטוי בנקודות הבאות:

ראשית, מבחינת פטנטים, הפטנטים של סמסונג 5G בשפע; שנית, בקבוצת העבודה 3GPP, לסמסונג יש בסך הכל 12 נשיאים או סגן יושב ראש; שלישית, בהימורים ובמחקר ופיתוח של טכנולוגיית גל מילימטר, ניסתה סמסונג הכיסוי של גל מילימטרים משתרע על מרחק של יותר מקילומטר מקו הראיה, והכיסוי שאינו קו הראייה מגיע לכמה מאות מטרים. במקביל ניתן להשתמש בו באזור הצפוף העירוני ובתחנת הבסיס הקיימת 4G.

נכון לעכשיו, לסמסונג יש שלושה שבבים, מודם, שבב חשמל ושבב RF, וכולם מוכנים לייצור המוני; ציוד רשת כולל תחנת בסיס 5G ונתב 5G (פנים וחוץ). שירותי המוצר הקצה לקצה של סמסונג בשוק 5G כוללים ציוד רשת מקצה לקצה שבבי RF, שבבי מסוף, מסופים, רשתות אלחוטיות, רשתות ליבה ותוכנת תכנון רשת.

אני מאמין שבעידן ה- 5G העתידי, סמסונג מוכנה לאפשר לנו לצפות קדימה לבואן של טכנולוגיות חדשות.